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【发明授权】基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器_电子科技大学_202010624808.2 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2020-07-02

公开(公告)日:2021-12-31

公开(公告)号:CN111755784B

主分类号:H01P1/203(20060101)

分类号:H01P1/203(20060101);H01P1/208(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.12.31#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开

摘要:本发明公开了基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器,包括层叠设置的三层基片集成波导腔体,在每层所述基片集成波导腔体的中心位置皆设置有金属柱,在每层所述基片集成波导腔体的上下方皆层叠有金属层,在最上层和最下层的金属层上皆设置有作为输入或输出的共面波导形式的馈线,且两个共面波导形式的馈线在水平向上相对设置;可以很好地解决传统滤波器技术设计尺寸紧凑且具有高选择性的带通滤波器已不能完全满足技术发展需要的问题,具有带内损耗小,边带抑制高和尺寸小的特征。

主权项:1.基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器,其特征在于:包括层叠设置的三层基片集成波导腔体,在每层所述基片集成波导腔体的中心位置皆设置有金属柱,在每层所述基片集成波导腔体的上下方皆层叠有金属层,在最上层和最下层的金属层上皆设置有作为输入或输出的共面波导形式的馈线,且两个共面波导形式的馈线在水平向上相对设置;在最上方的所述基片集成波导腔体与中间的所述基片集成波导腔体之间的金属层上设置有在腔体中心位置以中心线为对称轴呈对称设置的两个梯形耦合窗;在最下方的所述基片集成波导腔体与中间的所述基片集成波导腔体之间的金属层上亦设置有在腔体中心位置以中心线为对称轴呈对称设置的两个梯形耦合窗;两个金属层上的梯形耦合窗的对称轴在空间位置上呈十字交叉。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器

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