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申请/专利权人:上海大学
摘要:本发明公开了一种提高HastelloyN合金低ΣCSL晶界比例的工艺方法,将HastelloyN合金冷轧加工30‑70%,然后在1020‑1200℃退火5‑60min,以水淬的方式快速冷却至室温。而后在垂直原冷轧方向进行30‑70%的冷轧加工,在相同的温度退火同样的时间后水淬至室温。然后再对样品进行3‑15%的冷加工变形,在1020‑1200℃退火3‑120min并水淬快速冷却至室温。可得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例高于70%的HastelloyN合金。本工艺不仅不需改变合金成分,而且与现有其他工艺相比,不需要长时间退火,操作容易,具有十分明显的经济效益。
主权项:1.一种提高HastelloyN合金ΣCSL晶界比例的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:a.在室温下对HastelloyN合金进行初次冷轧,控制变形量为30-70%;b.在HastelloyN合金完成所述步骤a初次冷轧变形后,对变形后的合金进行初次退火,在1020-1200℃的初次退火温度下保温5-60min,然后水淬将HastelloyN合金快速冷却至室温;c.在室温下对经过所述步骤b进行初次退火的合金进行再次冷轧变形,保证与初次冷轧方向垂直,控制变形量为30-70%,进行二次冷轧;d.在合金完成所述步骤c的二次冷轧变形后,对变形后的合金进行二次退火,在1020-1200℃的退火温度下保温5-60min,然后水淬将合金快速冷却至室温;e.在室温下,对经过所述步骤d二次退火的合金再次进行冷加工变形,采用冷轧、拉伸或者其它变形方式,控制变形量为3-15%,完成冷加工过程;f.在合金完成所述步骤e的冷加工变形后,对变形后的合金进行再次进行退火,在1020-1200℃的退火温度下保温3-120min,然后水淬将合金快速冷却至室温,得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例不低于70%的合金。
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