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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明公开了一种提高HastelloyN合金低ΣCSL晶界比例的工艺方法，将HastelloyN合金冷轧加工30‑70％，然后在1020‑1200℃退火5‑60min，以水淬的方式快速冷却至室温。而后在垂直原冷轧方向进行30‑70％的冷轧加工，在相同的温度退火同样的时间后水淬至室温。然后再对样品进行3‑15％的冷加工变形，在1020‑1200℃退火3‑120min并水淬快速冷却至室温。可得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例高于70％的HastelloyN合金。本工艺不仅不需改变合金成分，而且与现有其他工艺相比，不需要长时间退火，操作容易，具有十分明显的经济效益。
主权项：1.一种提高HastelloyN合金ΣCSL晶界比例的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在室温下对HastelloyN合金进行初次冷轧，控制变形量为30-70％；b.在HastelloyN合金完成所述步骤a初次冷轧变形后，对变形后的合金进行初次退火，在1020-1200℃的初次退火温度下保温5-60min，然后水淬将HastelloyN合金快速冷却至室温；c.在室温下对经过所述步骤b进行初次退火的合金进行再次冷轧变形，保证与初次冷轧方向垂直，控制变形量为30-70％，进行二次冷轧；d.在合金完成所述步骤c的二次冷轧变形后，对变形后的合金进行二次退火，在1020-1200℃的退火温度下保温5-60min，然后水淬将合金快速冷却至室温；e.在室温下，对经过所述步骤d二次退火的合金再次进行冷加工变形，采用冷轧、拉伸或者其它变形方式，控制变形量为3-15％，完成冷加工过程；f.在合金完成所述步骤e的冷加工变形后，对变形后的合金进行再次进行退火，在1020-1200℃的退火温度下保温3-120min，然后水淬将合金快速冷却至室温，得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例不低于70％的合金。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 提高Hastelloy N合金ΣCSL晶界比例的工艺方法
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