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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要：本发明提供一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：多层CSL层；多层所述CSL层位于P‑well层下方；多层所述CSL层的宽度在远离P‑well层的方向上递减。本发明将现有技术中的单层CSL层加以改进，采用了多层CSL层组成阶梯状的CSL层的结构，能够限制P+屏蔽层与N‑drift层的耗尽区的扩展，从而增大了电子的导通路径，进而改善了SiCUMOS的导电能力，降低了寄生电阻，提高了SiCUMOS的电流密度。
主权项：1.一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS，其特征在于，包括：多层CSL层；多层所述CSL层位于P-well层下方；多层所述CSL层的宽度在远离P-well层的方向上递减。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有阶梯状CSL层的SiC UMOS及制备方法
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