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一种具有阶梯状CSL层的SiC UMOS及制备方法 

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申请/专利权人:天狼芯半导体(成都)有限公司

摘要:本发明提供一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS及制备方法,该SiCUMOS包括:多层CSL层;多层所述CSL层位于P‑well层下方;多层所述CSL层的宽度在远离P‑well层的方向上递减。本发明将现有技术中的单层CSL层加以改进,采用了多层CSL层组成阶梯状的CSL层的结构,能够限制P+屏蔽层与N‑drift层的耗尽区的扩展,从而增大了电子的导通路径,进而改善了SiCUMOS的导电能力,降低了寄生电阻,提高了SiCUMOS的电流密度。

主权项:1.一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS,其特征在于,包括:多层CSL层;多层所述CSL层位于P-well层下方;多层所述CSL层的宽度在远离P-well层的方向上递减。

全文数据:

权利要求:

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