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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明提供一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N‑drift层邻接；所述肖特基金属位于N‑drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁，肖特基二极管的开启电压远小于体二极管，在SiCUMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启，在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用，并且在源极沟槽下方设置了HK介质层用于避免沟槽底部漏电，还能够改善电场分布，防止电场线集中损毁SiCUMOS，显著地提高了SiCUMOS的电气性能。
主权项：1.一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS，其特征在于，包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N-drift层邻接；所述肖特基金属位于N-drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法
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