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申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
摘要:本发明提供一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS及制备方法,该SiCUMOS包括:HK介质层和肖特基金属;所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间,并与衬底和N‑drift层邻接;所述肖特基金属位于N‑drift层与源极之间,用于提供从源极到漏极的导电通道。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁,肖特基二极管的开启电压远小于体二极管,在SiCUMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启,在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用,并且在源极沟槽下方设置了HK介质层用于避免沟槽底部漏电,还能够改善电场分布,防止电场线集中损毁SiCUMOS,显著地提高了SiCUMOS的电气性能。
主权项:1.一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS,其特征在于,包括:HK介质层和肖特基金属;所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间,并与衬底和N-drift层邻接;所述肖特基金属位于N-drift层与源极之间,用于提供从源极到漏极的导电通道。
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权利要求:
百度查询: 深圳天狼芯半导体有限公司 一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法
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