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申请/专利权人：上海澜芯半导体有限公司
申请日：2024-04-30
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248553A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种集成SBD的平面MOSFET及其工艺方法，所述的MOSFET的欧姆接触区及SBD的肖特基接触区的外延表面低于中间的沟道区的外延层表面而形成两个肩部，然后通过金属层引出；本发明在源区的P‑Well整体进行N型离子注入使得SBD的肖特基接触区的P‑Well反型为N型，然后通过对浅层的源区N型注入区外延层进行刻蚀，使得反型为N型的原P‑Well区露出，形成SBD的肖特基接触区；然后通过淀积金属形成SBD。本发明的结构形成只需要额外增加一层SBD肖特基接触区域注入掩膜，完成对SBD肖特基接触区域的P‑Well的N型离子注入使其反型即可，可以在小pitch尺寸的元胞结构工艺中实现SBD的集成。
主权项：1.一种集成SBD的平面MOSFET的工艺方法，其特征在于：包含：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面上形成一层外延层；离子注入形成P-Well区及漂移区；淀积栅极介质层及多晶硅层，刻蚀形成栅极结构；进行N型杂质的注入形成重掺杂的N型注入层，作为所述MOSFET的源区及漏区；所述的N型杂质的注入是将整个P-Well区的浅层都进行N型杂质的离子注入；以重掺杂P型区的离子注入掩膜以及SBD接触区的离子注入掩膜为遮挡，分别进行离子注入形成所述MOSFET的欧姆接触区以及SBD肖特基接触区，所述的SBD肖特基接触区是通过N型离子注入对源区的P-Well区进行N型杂质的反型实现，形成N+注入层，使原本位于SBD肖特基接触区的P-Well区反型变成N型的SBD肖特基接触区；淀积层间介质并进行刻蚀，打开MOSFET的欧姆接触区以及SBD肖特基接触区的接触窗口，并继续对接触窗口内露出的外延层进行刻蚀，去除一定厚度的外延层；淀积金属层，完成MOSFET的欧姆接触区以及SBD肖特基接触区的接触引出，形成源极的引出以及SBD的形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海澜芯半导体有限公司 集成SBD的平面MOSFET结构及其工艺方法
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