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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种SiO2阻挡层Ga2O3垂直UMOS场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前垂直型氧化镓场效应晶体管没有有效的源漏间电流阻挡结构和器件栅控能力不足的问题。其自下而上包括漏电极、氧化镓衬底层、氧化镓外延层、栅氧化层；外延层内部外围设有SiO2电流阻挡层，其中心设有U型凹槽和T型栅电极，其上方设有通过ALD生长的n型导电层，该n型导电层的上方设有源电极。本发明由于设有U型凹槽和T型栅电极，相对于现有结构，器件的栅控能力得到了有效提升，并能有效地遏制DIBL效应；同时由于外延层内部外围设置SiO2阻挡层，极大降低了器件源漏间漏电，提高了器件的击穿电压，可用于大功率集成电路的制备。
主权项：1.一种SiO2阻挡层Ga2O3垂直UMOS场效应晶体管，包括氧化镓衬底层1、氧化镓外延层2、栅氧化层3，栅氧化层3上方设有T型栅电极G，氧化镓衬底层1下表面为漏电极D，其特征在于：所述外延层2，其内部外围设有SiO2电流阻挡层4，以实现有效的源漏间电学隔离，其中心设有U型栅凹槽5，以提高器件栅控能力并实现垂直导通沟道；其上方设有n型导电层6，以实现n型导电材料的再生长；该n型导电层6的上方设有源电极S。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 SiO2阻挡层Ga2O3垂直UMOS晶体管及其制备方法
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