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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明提出了一种基于铁电隧穿场效应晶体管FeTFET实现三态内容可寻址存储器TCAM的方法，在单个FeTFET上实现了TCAM的完整功能。本发明利用隧穿场效应晶体管TFET独特的双极带带隧穿电流特性，将铁电材料叠加到栅介质层上，得到同时受栅极电压和铁电极化强度控制的双极性的沟道电导，突破了传统CAM的两路互补路径的电路拓扑结构。相较于基于传统静态随机存取存储器的TCAM以及目前报道的基于各种新兴的非易失性存储器的TCAM，本发明具有显著降低的单元面积以及更加简洁的编程与搜索操作过程，相应地带来更高的能效。本发明将TCAM的硬件代价降低到理论最低，具有十分广阔的应用空间。
主权项：1.一种基于铁电隧穿场效应晶体管FeTFET实现三态内容可寻址存储器TCAM的方法，其特征在于，利用非易失性铁电极化状态用于entry存储，FeTFET中的TFET具有典型的双极带带隧穿电流特性，TFET独特的双极电流用于query搜索，实现基于单个FeTFET的“XNOR”存储器内逻辑运算，其中FeTFET的漏极、栅极、源极分别作为TCAM单元的ML端、BLSL端和ScL端：ML端，用于检测搜索操作中query与entry是否匹配；BLSL端，在写操作中需要施加电压脉冲对FeTFET进行编程或者擦除，以得到相应的存储entry状态；ScL端，在写操作中与BL配合施加相应的电位完成对FeTFET的编程或者擦除；在搜索操作中，SL端施加与query对应的电压VSL，检测ML端的电流IML或者预充后的电压VML的变化，如果IML低于参考阈值或者VML高于参考阈值，则表示匹配；反之，则表示不匹配，ScL端在搜索操作中接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 基于铁电隧穿场效应晶体管FeTFET实现三态内容可寻址存储器TCAM的方法
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