首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及制造方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:北京理工大学

摘要:本发明公开的电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及制造方法,属于声学器件声电转换领域。所述MEMS扬声器,采用与振膜不共面的隐藏式连接结构,振膜垂直方向的位移范围在沿基座厚度方向延伸的支撑结构所形成的空腔高度范围内。隐藏式连接结构能够增大活塞运动式扬声器在工作状态下的前后腔声阻值,提高活塞运动式扬声器的输出声压级。通过优化具有上述隐藏式连接结构的活塞式扬声器的振膜结构、支撑结构等组件,能够调节前后腔之间空气缝隙的长度、横截面积和基座的开口,进一步提高声阻和输出声压级。所述制造方法采用MEMS表面微加工技术和MEMS体微加工技术,通过利用SOI、具有空腔结构的cavity‑SOI,降低加工工艺的复杂程度,提高器件可实现性。

主权项:1.电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器,其特征在于:包括基底、振动腔体、电热式驱动组件、连接组件、振膜;所述基底包括基座和沿所述基座厚度方向延伸的支撑结构,所述支撑结构的四周围合从而形成振动腔体;所述连接组件与振膜不共面,即为隐藏式连接结构;所述电热式驱动组件为电热式驱动结构,即利用驱动组件材料之间热膨胀系数的差异引入变形,从而驱动振膜产生活塞式运动;所述驱动组件与所述连接组件为同一结构,由一组或一组以上的驱动单元组成;所述振膜位于腔体内部,所述振膜与所述连接组件不共面,所述振膜在所述连接组件上方或者在所述连接组件下方,实现隐藏式连接结构,振膜垂直方向的位移范围在沿基座厚度方向延伸的支撑结构所形成的空腔高度范围内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京理工大学 电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。