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申请/专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
摘要：本发明属于热电材料技术领域，提供了一种A位多构型熵half‑Heusler合金热电材料及其制备方法。本发明的热电材料的化学式为M1‑xZxCoSb；式中，M为Ti、Zr和Hf按照摩尔比1：1：1复配；Z为与M相邻族中的同一族中的至少两种元素；0.1≤x≤0.3。本发明的热电材料具备高的构型熵和化学复杂性，使得热电材料表现出严重的晶格畸变和无序性。同时，应力场和质量场的存在进一步增强了声子的散射，从而有效地降低了热电材料的晶格热导率，进而使得热电材料具备本征低热导率。此外，通过在A位掺杂临近族元素，产生施主掺杂或者受主掺杂的效果，从而增加载流子浓度，实现高电导率和优化功率因子的目标。
主权项：1.一种A位多构型熵half-Heusler合金热电材料，其特征在于，化学式为M1-xZxCoSb；所述化学式中，M为Ti、Zr和Hf按照摩尔比1：1：1复配；Z为与M相邻族中的同一族中的至少两种元素；0.1≤x≤0.3；所述A位多构型熵half-Heusler合金热电材料的制备方法，包括以下步骤：将M、Z、Co和Sb单质制备原料进行熔炼，得到铸锭；所述铸锭依次进行破碎和湿法球磨，得到粉体；所述粉体的粒径为0.8～2μm；将所述粉体进行放电等离子烧结，得到所述A位多构型熵half-Heusler合金热电材料；所述放电等离子烧结包括：以第一升温速率升温至中间温度；然后以第二升温速率升温至终温，加压进行烧结，所述终温为850～1000℃，所述加压的压力为30～50MPa，所述烧结的保温时间为2～8min；所述第一升温速率为100～200℃min，所述中间温度为650℃；所述第二升温速率为80～100℃min。
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权利要求：
百度查询： 大连理工大学 大连理工大学宁波研究院 一种A位多构型熵half-Heusler合金热电材料及其制备方法
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