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【发明公布】一种双缺陷型2D g-C3N4-x NSs光催化材料制备方法及应用_西安建筑科技大学_202310601367.8 

申请/专利权人:西安建筑科技大学

申请日:2023-05-25

公开(公告)日:2023-09-12

公开(公告)号:CN116726966A

主分类号:B01J27/24

分类号:B01J27/24;C02F1/72;C02F1/30;B01J37/34;B01J37/08;B01J37/32;B01J37/00;C02F101/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.09.29#实质审查的生效;2023.09.12#公开

摘要:本发明涉及一种双缺陷型2Dg‑C3N4‑xNSs光催化材料制备及应用,将三聚氰胺在N2气氛中于550℃煅烧形成体相石墨相氮化碳g‑C3N4前驱体;将前驱体置于硝酸溶液后,加入过氧化氢得到悬浊液;将悬浊液经超声、搅拌、静置得到改性g‑C3N4;将改性g‑C3N4置于马弗炉,在0‑550℃煅烧制得双缺陷型2Dg‑C3N4‑xNSs光催化材料。不仅增大了体相g‑C3N4的比表面积,且双缺陷的形成有效提高了体相g‑C3N4对可见光的利用率和光生载流子分离率,表现出良好的可见光催化活性,12min内活化PMS降解罗丹明B的效率达99.2%;可用于降解难降解有机污染物的应用,并具有良好的循环利用性能。

主权项:1.一种双缺陷型2Dg-C3N4-xNSs光催化材料的制备方法,其特征在于,该方法采用HNO3H2O2耦合超声剥离+热处理法,破坏g-C3N42D纳米片层之间连接的范德华力,实现g-C3N4的片层剥离,提高其比表面积,并在g-C3N42D纳米片层的表面留下一定缺陷结构;具体按下列步骤进行:步骤1:将适量的三聚氰胺放入石英舟中,置于管式炉恒温区,在N2气氛中以2.5℃min的升温速度升至550℃,保温4h随炉降温至室温,取出过200目筛得到体相g-C3N4;步骤2:将得到的体相g-C3N4置于HNO3溶液中,并快速加入H2O2,得到悬浊液;步骤3:将得到的悬浊液经超声6h、搅拌2h之后,静置12h,得到改性g-C3N4溶液;步骤4:将改性g-C3N4溶液用KOH中和至中性后,通过蒸馏水和无水乙醇交替洗涤多次去除杂离子,于-60℃冷冻干燥;步骤5:将冷冻干燥后的深黄色固体置于玛瑙研钵中,充分研磨并过200目筛,得到改性g-C3N4;步骤6:将改性g-C3N4置于马弗炉中以15℃min的升温速率升至550℃,保温150min至后随炉降温并取出,得到橙黄色粉末;步骤7:将橙黄色粉末置于玛瑙研钵中充分研磨并过200目筛,得到双缺陷型2Dg-C3N4-xNSs光催化材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安建筑科技大学 一种双缺陷型2D g-C3N4-x NSs光催化材料制备方法及应用

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