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申请/专利权人：新奥科技发展有限公司
摘要：本公开涉及一种Half‑Heusler热电材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：1将高熔点金属进行熔炼，得到高熔点合金；2高熔点合金粉末和低熔点金属粉末混合；3混合粉末进行真空热处理和退火处理，得到预处理材料；4预处理材料进行放电等离子体烧结，得到所述Half‑Heusler热电材料；其中，所述高熔点金属的熔点高于1500℃，所述低熔点金属的熔点低于400℃。本公开提供的制备方法能够使各金属元素组分充分混合均匀且比例保持恒定，避免一次性熔炼过程中金属元素扩散不均匀和扩散慢的问题，制备得到高纯度、具有单一相结构的Half‑Heusler热电材料。
主权项：1.一种Half-Heusler热电材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1将高熔点金属进行熔炼，得到高熔点合金；2高熔点合金粉末和低熔点金属粉末混合；3混合粉末进行真空热处理和退火处理，得到预处理材料；4预处理材料进行放电等离子体烧结，得到所述Half-Heusler热电材料；其中，所述高熔点金属的熔点高于1500℃，所述低熔点金属的熔点低于400℃。
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百度查询： 新奥科技发展有限公司 一种Half-Heusler热电材料及其制备方法和应用
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