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申请/专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
摘要：本发明涉及晶圆键合技术领域，公开一种复合衬底的制备方法。该复合衬底的制备方法包括：准备第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底进行控温，使第一衬底的温度为T1，第二衬底的温度为T2，其中T1、T2均小于0℃；保持第一衬底的温度为T1、第二衬底的温度为T2对两者进行键合，形成第一键合体；将第一键合体升温至第一目标温度T0，在第一衬底和第二衬底的键合界面产生第一预设内应力。本发明提供的复合衬底的制备方法，能有效缓解键合体因热膨胀系数失配导致的翘曲、裂纹，避免产生碎片，提升半导体器件性能。
主权项：1.复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：准备第一衬底和第二衬底；对所述第一衬底和所述第二衬底进行控温，使所述第一衬底的温度为T1，所述第二衬底的温度为T2，其中T1、T2均小于0℃；保持所述第一衬底的温度为T1、所述第二衬底的温度为T2对两者进行键合，形成第一键合体；将所述第一键合体升温至第一目标温度T0，在所述第一衬底和所述第二衬底的键合界面产生第一预设内应力，其中，所述第一目标温度T0为室温或所述第一键合体的工作环境温度；所述第一预设内应力的计算公式为： ；其中，Y1和Y2分别为所述第一衬底和所述第二衬底在T0温度时的杨氏模量；和分别为所述第一衬底和所述第二衬底的温度依赖的线膨胀系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 复合衬底的制备方法
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