申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2023-10-20

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117317548A

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明公开一种基于类FSIW双模腔体的小型化频比可控双工器，由顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层和第一矩形环共同构建第一类FSIW矩形腔，由顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层和第二矩形环共同构建第二类FSIW矩形腔，第一类FSIW矩形腔、第二类FSIW矩形腔通过公共侧壁上的耦合窗连通。该双工器利用类FSIW矩形腔体的第一模式和第二模分别构建双工器的第一、第二工作频带，充分利用类FSIW的两个模式，实现了双工器平面尺寸减小70％，同时还具有设计简单、频比可控等优点。

主权项：1.一种基于类FSIW双模腔体的小型化频比可控双工器，包括：介质层4；顶层金属层1，位于介质层的上表面；底层金属层3，位于介质层的下表面；中间金属层2，位于介质层内；贯穿介质层4的第一金属化通孔阵列5，用于连接顶层金属层、底层金属层、中间金属层；位于介质层4内的第二金属化通孔6，用于连接底层金属层与中间金属层；位于介质层4内的第三金属化通孔7，用于连接底层金属层与中间金属层；其中，所述顶层金属层1包括第一微带线8、第二微带线9、第一矩形金属片，第一微带线8、第二微带线9与第一矩形金属片直接连接；所述中间金属层2包括带状线10、第二矩形金属片；所述带状线10与第二矩形金属片直接相连；所述底层金属层3包括第三矩形金属片；其特征在于：所述第一金属化通孔阵列5由多个周期性分布的第一金属化通孔构成，并围合成两个连通的第一矩形环、第二矩形环；第一矩形环、第二矩形环公用公共侧壁，且所述公共侧壁上开有耦合窗11；所述第一矩形环的公共侧壁对边开有输入窗口12，所述第二矩形环的公共侧壁两邻边分别开有第一输出窗口13、第二输出窗口14；输入窗口12、第一输出窗口13、第二输出窗口14位置无第一金属化通孔设置；所述顶层金属层1中，所述第一微带线8与第一矩形金属片连接位置落在输入窗口12在所述顶层金属层1的投影内，第二微带线9与第一矩形金属片连接位置落在第一输出窗口13在所述顶层金属层1的投影内；所述中间金属层2中，带状线10与第二矩形金属片连接位置落在第二输出窗口14在所述中间金属层2的投影内；所述第二矩形金属片在第一矩形环、第二矩形环内分别开有一矩形缺口15；所述第二金属化通孔6、第三金属化通孔7分别位于输入窗口12、第一输出窗口13内；从输入至输出，由顶层金属层1、中间金属层2、底层金属层3、介质层4和第一矩形环共同构建第一类FSIW矩形腔，由顶层金属层1、中间金属层2、底层金属层3、介质层4和第二矩形环共同构建第二类FSIW矩形腔，第一类FSIW矩形腔、第二类FSIW矩形腔通过公共侧壁上的耦合窗11连通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种基于类FSIW双模腔体的小型化频比可控双工器

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