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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了SiCMOSFET模块多尺度保护电路，包括：电流采样单元模块、电压采样单元模块、短路检测单元模块、基于能量积累的过载检测单元模块、保护判断单元模块。本发明将短路保护功能和基于能量积累的过载保护功能集成在一起，不仅可以在SiCMOSFET模块发生短路时提供快速的保护，当发生电流水平相对短路较低的过载故障时，长时间产生的热积累超出器件的热极限使得器件损坏时也能提供保护功能。
主权项：1.SiCMOSFET模块多尺度保护电路，其特征在于，包括：电流采样单元模块1、电压采样单元模块2、短路检测单元模块3、基于能量积累的过载检测单元模块4、保护判断单元模块5；所述电流采样单元模块1用于采样电流信号；所述电压采样单元模块2用于采样电压信号；所述短路检测单元模块3用于检测SiCMOSFET模块是否发生了短路故障；所述基于能量积累的过载检测单元模块4用于检测SiCMOSFET模块是否发生了过载故障；所述保护判断单元模块5用于将短路检测单元模块3和基于能量积累的过载检测单元模块4的输出信号进行或逻辑运算输出一个总的故障信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 SiCMOSFET模块多尺度保护电路
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