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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：一种功率半导体模块装置包括：衬底，其包括电介质绝缘层以及布置在电介质绝缘层的第一表面上的第一金属化层；至少一个半导体主体，其布置在第一金属化层上并且通过导电连接层附接到第一金属化层；以及至少一个导电元件，其布置在第一金属化层上，其中，第一金属化层是包括多个不同的子区段的结构化的层，第一金属化层在竖直方向y上具有均匀的厚度，其中，该竖直方向y垂直于电介质绝缘层的第一表面，至少一个导电元件中的每个导电元件布置在子区段的子区域上并且覆盖该子区段的子区域，从而增加相应的子区段的子区域的截面面积，并且至少一个导电元件中的每个导电元件包括在其上没有布置半导体主体的导电连接层。
主权项：1.一种功率半导体模块装置，包括：衬底10，所述衬底10包括电介质绝缘层11以及布置在所述电介质绝缘层11的第一表面上的第一金属化层111；至少一个半导体主体20，所述至少一个半导体主体20布置在所述第一金属化层111上并且通过导电连接层30附接到所述第一金属化层111；以及至少一个导电元件80，所述至少一个导电元件80布置在所述第一金属化层111上，其中，所述第一金属化层111是包括多个不同的子区段的结构化的层，所述第一金属化层111在竖直方向y上具有均匀的厚度，其中，所述竖直方向y垂直于所述电介质绝缘层11的所述第一表面，所述至少一个导电元件80中的每个导电元件布置在子区段的子区域上并且覆盖所述子区段的所述子区域，从而增加相应的所述子区段的所述子区域的截面面积，并且所述至少一个导电元件80中的每个导电元件包括所述导电连接层30，在所述导电连接层30上没有布置半导体主体20。
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权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 半导体模块装置
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