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半导体装置及半导体装置的制造方法 

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申请/专利权人:三菱电机株式会社

摘要:涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制由金属图案与电极端子之间的接合时的温度上升不足引起的金属图案与电极端子之间的接合不良的半导体装置。电极端子在延伸方向的一端侧在宽度方向上分支为多个分支部,多个分支部中的第1分支部和第2分支部分别经由接合材料而接合于金属图案之上,第1分支部与第2分支部相比宽度宽,第2分支部与金属图案之间的接合材料比第1分支部与金属图案之间的接合材料薄。

主权项:1.一种半导体装置,其具有:金属图案;半导体元件,其接合于所述金属图案之上;以及电极端子,其具有宽度而延伸,所述电极端子在延伸方向的一端侧在宽度方向上分支为多个分支部,所述多个分支部中的第1分支部和第2分支部分别经由接合材料而接合于所述金属图案之上,所述第1分支部与所述第2分支部相比宽度宽,所述第2分支部与所述金属图案之间的所述接合材料比所述第1分支部与所述金属图案之间的所述接合材料薄。

全文数据:

权利要求:

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