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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供基底；基底包括衬底、位于衬底内且沿第一方向间隔排布的多个有源区，以及位于有源区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成叠层结构；在相同的刻蚀条件下，刻蚀叠层结构，形成多个接触孔；接触孔暴露出栅极结构和有源区；其中，叠层结构中靠近基底的子层的刻蚀速率小于叠层结构中远离基底的子层的刻蚀速率。由于叠层结构包括多个子层，叠层结构中各子层越靠近基底，刻蚀速率越小，从而可保护基底，同时，由于叠层结构中各子层的刻蚀速率是逐渐变化的，因此，避免了因相邻膜层之间的刻蚀选择比过大形成底切结构。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；所述基底包括衬底、位于所述衬底内且沿第一方向间隔排布的多个有源区，以及位于所述有源区之间的衬底上的栅极结构；于所述基底上形成叠层结构；在相同的刻蚀条件下，刻蚀所述叠层结构，形成多个接触孔；所述接触孔暴露出所述栅极结构和所述有源区；其中，所述叠层结构中靠近所述基底的子层的刻蚀速率小于所述叠层结构中远离所述基底的子层的刻蚀速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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