龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，半导体结构制备方法包括，提供基底，在基底上形成牺牲掩膜层，牺牲掩膜层包括目标区域；在牺牲掩膜层内形成沿第一方向间隔排布的基准图形，基准图形沿第二方向延伸且贯穿目标区域；第二方向与第一方向相交；在牺牲掩膜层内形成沿第一方向间隔排布的补充图形，补充图形沿第二方向延伸且贯穿目标区域，基准图形和补充图形围合成阵列排布的掩膜结构；以掩膜结构为掩膜刻蚀基底，以得到阵列排布的目标结构。本公开可以减少所需的光罩数量，降低工艺复杂度，进而降低制作成本。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成牺牲掩膜层，所述基底包括目标区域；在所述牺牲掩膜层内形成沿第一方向间隔排布的基准图形，所述基准图形沿第二方向延伸且贯穿所述目标区域；所述第二方向与所述第一方向相交；在所述牺牲掩膜层内形成沿所述第一方向间隔排布的补充图形，所述补充图形沿所述第二方向延伸且贯穿所述目标区域，所述基准图形和所述补充图形围合成阵列排布的掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述目标区域的所述基底，以得到阵列排布的目标结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构制备方法及半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号