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申请/专利权人：芜湖西晶微电子科技有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-01-26
公开（公告）号：CN117457483A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/45
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开
摘要：本发明涉及一种低掺杂型4H‑SiC欧姆接触及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在器件的SiC层的上表面交替生长W种子层和C种子层形成合金种子层，其中，合金种子层中第一层的W种子层与SiC层接触；步骤2：在合金种子层的上表面生长Pad层，其中，合金种子层中最后一层的C种子层与Pad层接触；步骤3：对器件进行快速热退火处理，以使合金种子层与SiC层形成欧姆接触。本发明的低掺杂型4H‑SiC欧姆接触的制备方法，SiC层为低掺杂型SiC，无需额外的高能离子注入，节省了工艺成本且避免了离子注入带来的器件损伤，此外，制备得到的欧姆接触性能良好、热可靠性高。
主权项：1.一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，包括：步骤1：在器件的SiC层的上表面交替生长W种子层和C种子层形成合金种子层，其中，所述合金种子层中第一层的W种子层与所述SiC层接触；步骤2：在所述合金种子层的上表面生长Pad层，其中，所述合金种子层中最后一层的C种子层与所述Pad层接触；步骤3：对所述器件进行快速热退火处理，以使所述合金种子层与所述SiC层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芜湖西晶微电子科技有限公司 一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触及其制备方法
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