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一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法 

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申请/专利权人:汉轩微电子制造(江苏)有限公司;徐州爱易翰林院企业管理中心(有限合伙);芯智想半导体技术(上海)有限公司

摘要:本发明公开了一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法,属于半导体器件制造技术领域,该嵌入FRD的IGBT器件的制造方法,提供N型掺杂的衬底,衬底中具有沟槽型栅极结构,在沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区,还在第二P型掺杂区靠近沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区,且第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触;位于第二P型掺杂区背离沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环,在保护环的外围形成一边缘电场终止区。通过排布FRD和IGBT的结构,提高了器件集成度,由于电场截止层的存在,不需要使用很厚的衬底作为缓冲区来承受电压。

主权项:1.一种嵌入FRD的IGBT器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供N型掺杂的衬底,所述衬底中具有沟槽型栅极结构,在所述沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区,还在所述第二P型掺杂区靠近所述沟槽型栅极结构的一侧进行离子注入形成第二N型掺杂区,且所述第二P型掺杂区和第二N型掺杂区均与所述沟槽型栅极结构的外侧至少部分地接触;位于所述第二P型掺杂区背离所述沟槽型栅极结构的一侧形成至少一保护环,在所述保护环的外围形成一边缘电场终止区,用于定义所述IGBT器件的区域;在所述衬底的背面还形成交替排列的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区,且所述第一P型掺杂区对应所述沟槽型栅极结构的底部形成,其中,在所述沟槽型栅极结构和所述第一P型掺杂区之间还形成有电场截止层,由位于所述电场截止层和所述第二P型掺杂区之间的所述衬底形成缓冲漂移区。

全文数据:

权利要求:

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