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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-08-03
公开（公告）日：2024-03-29
公开（公告）号：CN117795660A
主分类号：H01L21/8234
分类号：H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/08
优先权：["20210803 US 63/228,809","20220802 US 17/879,088"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.03.29#公开
摘要：叙述了半导体装置及其制造方法。所述方法包括在基板上形成底部介电隔离BDI层及在源极漏极沟槽中沉积模板材料。此模板材料被结晶。接着进行源极与漏极区的外延成长，其中成长有利地发生在源极与漏极区的底部与侧壁上。
主权项：1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包含：在基板上的底部介电隔离层的顶表面上形成超晶格结构，所述超晶格结构包含多个水平沟道层及对应的多个半导体材料层，所述多个水平沟道层与所述多个半导体材料层交替地排列成多个堆叠对；形成邻近于所述基板上的所述底部介电隔离层上的所述超晶格结构的源极沟槽与漏极沟槽；在所述源极沟槽中与所述漏极沟槽中沉积模板材料；使所述模板材料结晶；及形成源极区与漏极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于具有底部介电质的纳米片源极漏极形成的模板
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