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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日：2023-11-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239644U
主分类号：H01L33/62
分类号：H01L33/62;H01L33/38;H01L33/60;H01L33/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型提供一种发光二极管，包括：衬底，第一表面形成有第一电极；键合结构，位于衬底的第二表面；反射镜结构，位于键合结构上，包括反射介质层、导电层、保护层和反射镜层；外延层，位于反射镜结构上，包括自下向上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电极，位于第二半导体层上；反射介质层位于第一半导体层靠近衬底的一侧表面，反射介质层中形成有通孔和凹槽，通孔至少贯穿反射介质层并暴露出第一半导体层；导电层至少覆盖通孔底部的第一半导体层；保护层覆盖通孔的侧壁、凹槽的内壁以及通孔和凹槽外围的反射介质层；反射镜层填充于通孔和凹槽中并覆盖通孔和凹槽外围的保护层。本实用新型的发光二极管的光电效率得到明显提高。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面形成有第一电极；键合结构，位于所述衬底的与所述第一表面相背的第二表面；反射镜结构，位于所述键合结构上，所述反射镜结构包括反射介质层、导电层、保护层和反射镜层；外延层，位于所述反射镜结构上，所述外延层包括自下向上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反；第二电极，位于所述第二半导体层上；其中，所述反射介质层位于所述第一半导体层靠近所述衬底的一侧表面，所述反射介质层中形成有通孔和凹槽，所述通孔至少贯穿所述反射介质层并暴露出所述第一半导体层；所述导电层至少覆盖所述通孔底部的所述第一半导体层；所述保护层覆盖所述通孔的侧壁、所述凹槽的内壁以及所述通孔和所述凹槽外围的所述反射介质层；所述反射镜层填充于所述通孔和所述凹槽中并覆盖所述通孔和所述凹槽外围的保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管
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