申请/专利权人:泉州三安半导体科技有限公司
申请日:2023-12-27
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117878205A
主分类号:H01L33/14
分类号:H01L33/14;H01L33/26
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本申请提供了一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片,包括:半导体外延叠层,包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层;其中,所述电子阻挡层包括至少两层子掺杂电子阻挡层,所述至少两层子掺杂电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层;所述第一掺杂浓度为1E16‑1E19atomscm3;所述第二掺杂浓度小于1E18atomscm3;所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。本申请通过降低电子阻挡层中的掺杂浓度的同时保证了提供空穴的数量,降低了晶格缺陷的产生,提高了晶体质量,提高了发光二极管的光效。
主权项:1.一种紫外光发光二极管,其特征在于,包括:半导体外延叠层,包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层;其中,所述电子阻挡层包括至少两层掺杂子电子阻挡层,所述至少两层掺杂子电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层;所述第一掺杂浓度为1E16-1E19atomscm3;所述第二掺杂浓度小于1E18atomscm3;所述第一掺杂浓度的最大值大于所述第二掺杂浓度的最小值。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 泉州三安半导体科技有限公司 一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片
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