申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日：2023-10-18

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917764A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60

优先权：["20221021 US 17/970,660"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：底座；衬底，其在所述底座之上且包括顶部侧、底部侧和传导结构，其中所述衬底进一步包括通道开口和孔隙，且其中所述衬底的所述底部侧朝向所述底座定向；电子组件，其在所述衬底的所述顶部侧之上且在所述孔隙之上，其中所述电子组件与所述传导结构耦合；以及烟囱状物，其在所述衬底的所述顶部侧之上且包括烟囱状物开口。所述电子组件的顶部侧通过所述烟囱状物开口暴露。本文中还公开其它实例和相关方法。

主权项：1.一种电子装置，其包括：底座；衬底，其在所述底座之上且包括顶部侧、底部侧和传导结构，其中所述衬底进一步包括通道开口和孔隙，且其中所述衬底的所述底部侧朝向所述底座定向；电子组件，其在所述衬底的所述顶部侧之上且在所述孔隙之上，其中所述电子组件与所述传导结构耦合；以及烟囱状物，其在所述衬底的所述顶部侧之上且包括烟囱状物开口，其中所述电子组件的顶部侧通过所述烟囱状物开口暴露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法

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