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申请/专利权人：成都赛英科技有限公司
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-04-19
公开（公告）号：CN117913493A
主分类号：H01P5/20
分类号：H01P5/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本申请提供了一种不等功分波导魔T结构，包括主波导管、E面分支波导管和H面分支波导管，所述E面分支波导管和所述H面分支波导管均与所述主波导管连通，所述主波导管内设置有谐振台，且所述谐振台位于所述E面分支波导管和所述H面分支波导管与所述主波导管的连通处，所述谐振台上设置有谐振杆，且所述谐振杆的长度方向与所述E面分支波导管的轴向中心线平行。本申请在主波导中加入谐振台和谐振杆，其中谐振台与腔壁之间可储藏电能，类似于电容的作用，而谐振杆可储藏磁能，类似于电感的作用，两者构成具有一定带宽的谐振回路，当谐振频率与信号频率相同，谐振波相位与端口反射波相位相反时，反射波在此处被吸收，则可使四个端口的完全匹配，从而提高合成效率，降低波导工件的发热量。
主权项：1.一种不等功分波导魔T结构，其特征在于：包括主波导管、E面分支波导管和H面分支波导管，所述E面分支波导管和所述H面分支波导管均与所述主波导管连通，所述主波导管内设置有谐振台，且所述谐振台位于所述E面分支波导管和所述H面分支波导管与所述主波导管的连通处，所述谐振台上设置有谐振杆，且所述谐振杆的长度方向与所述E面分支波导管的轴向中心线平行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都赛英科技有限公司 不等功分波导魔T结构
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