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申请/专利权人：TDK株式会社
申请日：2021-03-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113436821B
主分类号：H01F1/057
分类号：H01F1/057;H01F41/02
优先权：["20200323 JP 2020-051883"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2021.09.24#公开
摘要：本发明提供在良好地维持Br和HkHcj的同时提高Hcj的R‑T‑B系稀土类烧结磁铁及R‑T‑B系稀土类烧结磁铁的制造方法。一种R‑T‑B系稀土类烧结磁铁稀，R是稀土元素，T是铁族元素，B是硼。作为R，包含选自Nd和Pr的一种以上。含有M和C，M是选自Zr、Ti和Nb的一种以上。包含主相颗粒和晶界，在晶界包含M‑C化合物、M‑B化合物和6‑13‑1相共存的共存结构。
主权项：1.一种R-T-B系稀土类烧结磁铁，其中，R是稀土元素，T是铁族元素，B是硼，作为R，包含选自Nd和Pr的一种以上，所述R-T-B系稀土类烧结磁铁含有M和C，M是Zr，所述R-T-B系稀土类烧结磁铁包含主相颗粒和晶界，在所述晶界包含M-C化合物、M-B化合物和6-13-1相共存的共存结构，所述共存结构中的M-B化合物和M-C化合物的合计面积比例为40％以上75％以下，6-13-1相的面积比例为25％以上60％以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TDK株式会社 R-T-B系稀土类烧结磁铁及R-T-B系稀土类烧结磁铁的制造方法
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