申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117907786A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于瞬态电流变化的SiCMOSFET器件陷阱表征方法，该方法基于贝叶斯迭代反卷积的时间常数提取方法，分析时间常数和峰值谱变化，实现SiCMOSFET器件陷阱的特性表征。所述表征方法的过程包括：瞬态漏极电流采集、时间常数提取、陷阱激活能计算以及陷阱定位。SiCMOSFET器件深能级陷阱俘获电子时会引起漏极电流的下降，释放电子时会引起漏极电流增加，瞬态电流变化包含了陷阱信息，由此通过瞬态电流获取陷阱的方法是一种较好的方法。基于该关系，通过采集器件在不同温度下的漏极电流瞬态变化曲线，利用贝叶斯迭代反卷积方法进行时间常数提取，并结合阿伦尼斯方程计算获得陷阱激活能，从而实现对器件陷阱信息的表征。

主权项：1.一种基于瞬态电流变化的SiCMOSFET器件陷阱表征方法，该方法基于贝叶斯迭代反卷积的时间常数提取方法，分析时间常数和峰值谱变化，实现SiCMOSFET器件陷阱的特性表征；其特征在于，所述表征方法的过程包括：瞬态漏极电流采集、时间常数提取、陷阱激活能计算以及陷阱定位；瞬态漏极电流采集的过程如下：搭建陷阱测量平台，包括计算机、FPGA、填充电路、测试电路、放大电路和采集卡；所述FPGA与被测器件之间通过填充电路、测试电路、放大电路连接，FPGA由计算机控制；被测器件为SiCMOSFET器件；计算机通过FPGA采集不同温度及电学偏置下SiCMOSFET器件的漏极电流瞬态变化数据，并生成漏极电流瞬态变化曲线；陷阱测量平台的精度可达微秒级别；测量瞬态电流响应时需要将SiCMOSFET器件固定在温度为T0的恒温平台上，并在测量过程前对SiCMOSFET器件通过填充电路先施加一定的偏置电压，使陷阱被充分填充，然后通过测试电路迅速切换至较小的测量偏置电压，监控电子从陷阱中释放的过程，即可采集到漏电流IDS随时间的变化曲线；时间常数提取是通过提取陷阱所引起瞬态电流变化的时间点，得到陷阱的时间常数，即表征陷阱是在哪一时刻俘获或释放载流子，引起瞬态电流变化；陷阱激活能计算以及陷阱定位是通过陷阱时间常数随温度的变化得到陷阱的激活能，并根据不同电学偏置下陷阱信息的变化得到陷阱的具体位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种基于瞬态电流变化的SiC MOSFET器件陷阱表征方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD