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申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-04-10
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016665A
主分类号：H01L27/07
分类号：H01L27/07;H01L29/778;H01L21/8252;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明提供了本发明提供了一种集成SBD的SiC衬底上增强型GaNHEMT器件，属于微电子技术领域。通过在同一SiC衬底上制备出平面型SiCSBD和增强型p‑GaNAlGaNGaNHEMT，并将它们反向串联，使得器件获得非破坏性雪崩击穿性能；平面型SiCSBD无需进行离子注入，并且在欧姆电极区域沉积了3C‑SiC外延层，无需高温退火即可实现欧姆接触，从而使得制备得到的增强型GaNHEMT在保证高可靠性和高击穿电压的同时，还具有低成本、制备工艺简单、高性能和高集成度等优势。
主权项：1.一种集成SBD的SiC衬底上增强型GaNHEMT器件，其特征在于，包括：半绝缘SiC衬底以及生长在半绝缘SiC衬底上的n型SiC外延层，n型SiC外延层上向上依次生长有GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层，所述GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层形成异质结；AlGaN势垒层上生长有p-GaN帽层，p-GaN帽层两侧制备有增强型p-GaNAlGaNGaNHEMT欧姆接触金属源极和欧姆接触金属漏极，p-GaN帽层上方为3C-SiC外延层和AlGaNGaNHEMT肖特基接触金属栅极；增强型p-GaNAlGaNGaNHEMT欧姆接触金属源极的外侧为SiCSBD的肖特基接触金属阳极，增强型p-GaNAlGaNGaNHEMT欧姆接触金属漏极的外侧为SiCSBD的欧姆接触金属阴极；SiCSBD欧姆接触区域沟槽内外延一层3C-SiC，3C-SiC外延层上方蒸镀有金属形成SiCSBD欧姆接触，增强型p-GaNAlGaNGaNHEMT欧姆接触漏极与SiCSBD欧姆接触金属阴极连接，AlGaNGaNHEMT欧姆接触源极与SiCSBD肖特基接触金属阳极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件
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