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申请/专利权人：国网黑龙江省电力有限公司;哈尔滨工业大学
摘要：本发明提出一种SiC‑Si混合开关栅极驱动信号调制电路及调制方法。所述电路包括Q1～Q3的D触发器，或门Q4，与非门Q5和缓冲电路RC1～RC3组成的时间延迟单元。该电路可以将单器件的控制信号调制为SiCSiHyS内SiCMOSFET和SiIGBT的控制信号。本发明所提出的信号调制电路，结构简单，有效输出SiCMOSFET和SiIGBT的控制信号，且针对最小SiCMOSFET导通模式下的四个时间尺度，仅需要调节对应的RC缓冲电路的参数，即可实现时间尺度的改变。
主权项：1.一种SiC-Si混合开关栅极驱动信号调制电路，其特征在于，所述电路包括Q1～Q3的D触发器，或门Q4，与非门Q5和缓冲电路RC1～RC3组成的时间延迟单元；其中D触发器实现对SiCMOSFET和SiIGBT的信号电平转变控制，RC缓冲电路用以调节输入信号的上升沿斜率，从而控制最小SiCMOSFET导通模式中所对应的四个时间尺度；与非门Q5对SiCMOSFET的两个脉冲信号进行检测，防止脉冲重叠，并重置SiIGBT对应的驱动信号SI。
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百度查询： 国网黑龙江省电力有限公司 哈尔滨工业大学 一种SiC-Si混合开关栅极驱动信号调制电路及调制方法
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