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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括基底、电荷存储层、第一栅极、第一介电层与第二介电层。基底包括存储单元区。电荷存储层位于存储单元区中的基底上。电荷存储层具有凹陷。电荷存储层在凹陷的周围具有尖端。第一栅极位于电荷存储层上。第一介电层位于电荷存储层与基底之间。第二介电层位于第一栅极与电荷存储层之间。
主权项：1.一种存储器结构，其特征在于，包括：基底，包括存储单元区；电荷存储层，位于所述存储单元区中的所述基底上，其中所述电荷存储层具有凹陷，且所述电荷存储层在所述凹陷的周围具有尖端；第一栅极，位于所述电荷存储层上；第一介电层，位于所述电荷存储层与所述基底之间；以及第二介电层，位于所述第一栅极与所述电荷存储层之间，其中所述基底还包括周边电路区，且所述存储器结构还包括：第三栅极，位于所述周边电路区中的所述基底上，其中所述电荷存储层与所述第三栅极源自相同材料层；以及第四介电层，位于所述第三栅极与所述基底之间。
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百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 存储器结构及其制造方法
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