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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；以及第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一阱，所述第一阱位于衬底中并且具有凹陷；凹陷栅极结构，所述凹陷栅极结构具有凸出结构，所述凸出结构伸入到所述第一阱的所述凹陷中，并且所述凹陷栅极结构包括第一栅极电介质以及位于所述第一栅极电介质上的第一栅电极；以及通过所述凹陷栅极结构隔开的第一源极和第一漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法
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