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申请/专利权人：深圳智塔科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管，包括：散热壳体，所述散热壳体内部中空形成散热腔，且散热腔内设置有散热结构；晶体管主体，所述晶体管主体通过导向挤压结构设置于散热腔内，并通过限位结构进行限位；固定底座，所述固定底座上设置有固定腔，且散热壳体插入设置于固定腔内；所述固定腔底部设置有连接板，且连接板上设置有与晶体管主体的插脚相对应的插孔。本实用新型通过设置散热壳体、散热腔、散热结构、导向挤压结构、固定底座和限位结构，实现了对晶体管主体的散热和固定，同时保证了其稳定性和可靠性。
主权项：1.一种双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，包括：散热壳体1，所述散热壳体1内部中空形成散热腔4，且散热腔4内设置有散热结构；晶体管主体2，所述晶体管主体2通过导向挤压结构设置于散热腔4内，并通过限位结构进行限位；固定底座3，所述固定底座3上设置有固定腔5，且散热壳体1插入设置于固定腔5内；所述固定腔5底部设置有连接板6，且连接板6上设置有与晶体管主体2的插脚相对应的插孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳智塔科技有限公司 一种双沟槽型MOS场效应晶体管
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