龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西萨瑞半导体技术有限公司
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制备方法，通过当MOS晶体管为TrenchNMOS晶体管时，设置两个开关，第一开关由第一多晶硅、两个第一N型掺杂区和P型阱区构成，第一多晶硅沉积于第一氧化层上，第二开关由外延层中开设的沟槽内的第二多晶硅形成的栅极构成，第二多晶硅沉积于第二氧化层上，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度，当MOS晶体管为TrenchPMOS晶体管时，所有掺杂类型与TrenchNMOS晶体管相反，具体的，由于拥有两个开关，使得MOS晶体管在栅压波动时电阻稳定，又能满足MOS晶体管具有较大的开启电压。
主权项：1.一种MOS晶体管，其特征在于，当MOS晶体管为TrenchNMOS晶体管时，TrenchNMOS晶体管包括衬底以及沉积于所述衬底上的外延层，所述外延层开设有沟槽，所述沟槽两侧均设置有两个第一N型掺杂区和P型阱区，所述P型阱区包括第一子区域和由所述第一子区域朝远离所述衬底方向延伸出的第二子区域，两个所述第一N型掺杂区关于所述第二子区域对称，所述P型阱区与所述衬底之间的区域为第二N型掺杂区，且所述第一N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂区的掺杂浓度；所述沟槽两侧的两个所述第一N型掺杂区和所述P型阱区远离所述衬底的一端均依次沉积有第一氧化层和第一多晶硅；所述沟槽的表面沉积有第二氧化层，所述第二氧化层形成的沟槽内填充有第二多晶硅；其中，所述第一多晶硅形成第一栅极，与对应的两个所述第一N型掺杂区和所述P型阱区组成第一开关，所述第二多晶硅形成第二栅极，作为第二开关，所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，远离所述沟槽的第一N型掺杂区用于与源极电性连接，所述第一栅极和所述第二栅极分别与栅极电性连接，所述衬底与漏极电性连接；或者，当MOS晶体管为TrenchPMOS晶体管时，所有掺杂类型与TrenchNMOS晶体管相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西萨瑞半导体技术有限公司 一种MOS晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号