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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏蔽缓冲区的两侧均设置有缓冲沟槽，导电外延层的两端分别设置有两个漂移层和N+有源区，导电外延层的上端两侧均设置有导电阱区，两个导电阱区的上端均设置有导电源区。该含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，使得器件的工作稳定性与可靠性增加，实现提高导通效率的效果，以及能够对MOS型功率半导体结构实现自我保护，减少能量损耗。
主权项：1.一种含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上端设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端设置有导电外延层3，所述导电外延层3的上端设置有N－漂移区5，所述N－漂移区5的下端设置有屏蔽缓冲区4，所述屏蔽缓冲区4的两侧均设置有缓冲沟槽41，所述导电外延层3的两端分别设置有两个漂移层8和N+有源区9，所述导电外延层3的上端两侧均设置有导电阱区10，两个所述导电阱区10的上端均设置有导电源区11，两个所述导电源区11内均设置有第一P+接触区111、P－接触区112和第二P+接触区113，所述N－漂移区5内设置有导电屏蔽层6，所述导电屏蔽层6内设置有栅极电极7，每个所述导电阱区10和导电源区11的上方共同设置有源极电极13，所述源极电极13的上端设置有隔离介质层12。
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