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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种实现栅极平坦化的方法，所述方法包括：提供一半导体器件的版图，并通过版图逻辑运算选出具有预设宽度的多晶硅层图形，其中，所述多晶硅层图形与有源区图形重叠形成栅极图形，且所述多晶硅层图形包括形成于第一方向上的第一多晶硅层边及形成于第二方向上的第二多晶硅层边；沿着所述多晶硅层图形的所述第一多晶硅层边形成至少一个开槽区，且所述开槽区的延伸方向与所述第二多晶硅层边所在的方向相同，其中，所述开槽区用于在晶圆上的多晶硅层内形成沟槽。通过本发明解决了现有的栅极化学机械研磨过程中抛光过度的问题。
主权项：1.一种实现栅极平坦化的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体器件的版图，并通过版图逻辑运算选出具有预设宽度的多晶硅层图形，其中，所述多晶硅层图形与有源区图形重叠形成栅极图形，且所述多晶硅层图形包括形成于第一方向上的第一多晶硅层边及形成于第二方向上的第二多晶硅层边，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；沿着所述多晶硅层图形的所述第一多晶硅层边形成至少一个开槽区，且所述开槽区的延伸方向与所述第二多晶硅层边所在的方向相同，其中，所述开槽区用于在晶圆上的多晶硅层内形成沟槽，其形成方法包括：步骤1）选出所述多晶硅层图形的两条所述第二多晶硅层边；步骤2）于两条所述第二多晶硅层边靠近所述多晶硅层图形中心区域的第二预设距离处分别形成一个所述开槽区，且两个所述开槽区为一组；步骤3）判断一组中的两个所述开槽区之间的间距是否满足预设条件，若不满足，以两个所述开槽区之间的区域作为新的所述多晶硅层图形，以两个所述开槽区靠近所述多晶硅层图形中心区域一侧的边作为新的所述第二多晶硅层边；重复步骤2）及步骤3）直至一组中的两个所述开槽区之间的间距满足所述预设条件，其中，所述预设条件包括：一组中的两个所述开槽区之间的距离的取值范围为0.8μm~1.5μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 实现栅极平坦化的方法
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