申请/专利权人：重庆大学

申请日：2021-09-07

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113745817B

主分类号：H01Q1/36

分类号：H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q13/10;H01Q9/04;H01Q15/24;H01Q1/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本发明提供一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线，包括有馈电层结构、辐射层结构、扇形枝节直流偏置结构，辐射层结构通过银浆对齐的粘接在馈电层结构的上方，用于实现天线直流偏置的扇形枝节直流偏置结构设置在馈电层结构上，馈电层结构包括由若干第一金属通孔和分别位于馈电层结构上、下两端的上、下层金属地板构成的基片集成波导馈电层金属腔体，上层金属地板上开设有极化可重构缝隙，辐射层结构包括由贯穿辐射层结构的若干第二金属通孔构成的基片集成波导辐射层金属腔体；本发明的天线具有双频带、高隔离、定向辐射、极化可重构的优势。

主权项：1.一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线，其特征在于，包括有馈电层结构1、辐射层结构2、扇形枝节直流偏置结构3；所述的辐射层结构2通过银浆对齐的粘接在馈电层结构1的上方，用于实现天线直流偏置的扇形枝节直流偏置结构3设置在所述馈电层结构1上；所述馈电层结构1包括贯穿所述馈电层结构1的若干第一金属通孔28，以及分别位于馈电层结构1上、下两端的上层金属地板9和下层金属接地板13，若干第一金属通孔28与上层金属地板9和下层金属接地板13形成基片集成波导馈电层金属腔体14，所述上层金属地板9上开设有极化可重构缝隙组件27；所述辐射层结构2包括贯穿所述辐射层结构2的若干第二金属通孔29，以及Ku频段方形辐射贴片15和X频段十字形辐射贴片16，若干第二金属通孔29构成基片集成波导辐射层金属腔体20；所述辐射层结构2包括由上至下逐层贴设的上层辐射介质基板7、下层辐射介质基板8；所述上层辐射介质基板7的上表面贴设有第一环形金属垫片17和Ku频段方形辐射贴片15，所述上层辐射介质基板7的下表面贴设有第二形金属垫片18和X频段十字形辐射贴片16，所述Ku频段方形辐射贴片15位于所述第一环形金属垫片17内，所述X频段十字形辐射贴片16位于所述第二形金属垫片18内；所述辐射层结构2上还开设有贯穿上层辐射介质基板7和下层辐射介质基板8的若干第二金属通孔29，若干第二金属通孔29沿所述第一环形金属垫片17和第二形金属垫片18环形设置，若干第二金属通孔29形成基片集成波导辐射层金属腔体20。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD