申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2021-09-03

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941041A

主分类号：H01L21/365

分类号：H01L21/365

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：目的在于提供一种能够提高器件特性的技术。晶体层叠构造体具备具有第1主面的Ga2O3单晶体基板。另外，晶体层叠构造体具备设置于Ga2O3单晶体基板的第1主面上并在与Ga2O3单晶体基板相反的一侧具有第2主面的作为外延生长层的Ga2O3单晶体层。Ga2O3单晶体基板的第1主面的面取向是011面。另外，Ga2O3单晶体层的第2主面是011面。

主权项：1.一种晶体层叠构造体，具备：Ga2O3单晶体基板，具有第1主面；以及作为外延生长层的Ga2O3单晶体层，设置于所述Ga2O3单晶体基板的所述第1主面上，在与所述Ga2O3单晶体基板相反的一侧具有第2主面，所述Ga2O3单晶体基板的所述第1主面以及所述Ga2O3单晶体层的所述第2主面各自的面取向是011面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 晶体层叠构造体、半导体装置及晶体层叠构造体的制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD