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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日：2024-01-05
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117970991A
主分类号：G05F1/567
分类号：G05F1/567
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开一种单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，属于集成电路领域，包括直流偏置电路、PTAT运算放大器、单BJT支路结构、偏置电流产生电路。所述直流偏置电路输出参考电压VIB1、VIB2、VIB3至所述PTAT运算放大器；所述PTAT运算放大器产生信号Vctrl以控制所述单BJT支路结构输出带隙基准电压VBG，并且所述单BJT支路结构还输出信号VA至所述直流偏置电路，输出信号VB至所述PTAT运算放大器；所述偏置电流产生电路接收带隙基准电压VBG和参考电压VIB1，产生带隙基准电流Ibias。本发明具有精度高和面积小的特点，具有更少的BJT和无源元件，电路结构简单，具有更好的能耗利用率。
主权项：1.一种单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，包括直流偏置电路、PTAT运算放大器、单BJT支路结构、偏置电流产生电路以及PSRR高频提高电容CO；所述直流偏置电路输出参考电压VIB1、VIB2、VIB3至所述PTAT运算放大器；所述PTAT运算放大器产生信号Vctrl以控制所述单BJT支路结构输出带隙基准电压VBG，所述PSRR高频提高电容CO连接于带隙基准电压VBG；并且所述单BJT支路结构还输出信号VA至所述直流偏置电路，输出信号VB至所述PTAT运算放大器；所述偏置电流产生电路接收带隙基准电压VBG和参考电压VIB1，产生带隙基准电流Ibias。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种单BJT支路失调型电压模带隙基准电路
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