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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：集成电路IC封装件，该IC封装件采用填充金属用于基于ETS的基板中的嵌入式金属迹线以降低信号路径阻抗。IC封装件包括封装基板和设置在封装基板上的ETS金属化层。为了缓解或抵消管芯电路与封装基板之间的较长信号路径中的阻抗的增加，该增加可导致降低的信令速度和或增加的信号损耗，将填充金属互连件耦合到ETS金属化层中的嵌入式金属迹线。因此，增加了耦合到管芯的信号接地信号路径的ETS金属化层的嵌入式金属迹线的金属表面积。增加耦合到管芯的信号接地信号路径的嵌入式金属迹线的金属表面积会增加此类信号接地信号路径的电容。增加信号接地信号路径的电容会减小该信号接地信号路径的阻抗，以缓解或减少信令延迟和或损耗。
主权项：1.一种集成电路IC封装件，包括：封装基板，所述封装基板包括：多个金属化层，所述多个金属化层包括：第一金属化层，所述第一金属化层包括一个或多个第一金属互连件；和第二金属化层，所述第二金属化层包括：第二金属层；和一个或多个金属迹线，所述一个或多个金属迹线嵌入所述第二金属层中；和第三层，所述第三层邻近所述第二金属层设置，所述第三层包括一个或多个第三金属互连件，每个第三金属互连件耦合到所述一个或多个金属迹线之中的金属迹线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 采用填充金属用于基于ETS的基板中的嵌入式金属迹线以降低信号路径阻抗的集成电路（IC）封装件和相关制造方法
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