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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明公开了一种含难熔元素的单晶高温合金IC21三维晶体取向的快速测定方法、装置、介质及产品，涉及单晶高温合金技术领域。方法包括：对背散射照片进行灰度处理，得到背散射灰度图片；基于背散射灰度图片，确定TCP相的方向；根据TCP相的方向，确定待测单晶高温合金的三维晶体取向。三维晶体取向包括一次主取向、二次取向和三次取向。本发明基于背散射灰度图片中TCP相的方向确定三维晶体取向，能够提高含难熔元素单晶高温合金的三维晶体取向测定精度、效率以及安全性。
主权项：1.一种含难熔元素的单晶高温合金IC21三维晶体取向的快速测定方法，其特征在于，包括：获取试样横截面处多个TCP区域的背散射照片；所述试样是利用待测单晶高温合金制备的；所述待测单晶高温合金内含难熔元素；所述背散射照片是在预设温度下对试样进行预设时长的高温处理并冷却，对试样横截面进行多次研磨后抛光并进行喷金处理，进入扫描电子显微镜在背散射模式下拍摄的；对所述背散射照片进行灰度处理，得到背散射灰度图片；所述背散射灰度图片中TCP相的灰度值为255；基于所述背散射灰度图片，确定TCP相的方向；所述TCP相的方向包括α方向、β方向和δ方向；根据所述TCP相的方向，确定待测单晶高温合金的三维晶体取向；所述三维晶体取向包括一次主取向、二次取向和三次取向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学 一种含难熔元素的单晶高温合金IC21三维晶体取向的快速测定方法、装置、介质及产品
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