申请/专利权人：陈世伟

申请日：2019-04-12

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN113692658B

主分类号：H01M4/38

分类号：H01M4/38;H01M10/052

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.07#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：一种用于锂电池纯硅阳极的锂‑硅化合物多晶型及其用途，该纯硅阳极包含核种，核种具有与Li4.1Si_Cmcm、Li13Si4_Pbam、Li2Si_C12m1、LiSi_I41AZ其中的一种或多种相同的原子级结构。其中，Li4.1Si_Cmcm原为高温稳定相，不被相信会存在于常温、存在于锂电池纯硅阳极，却被清楚证实，存在于揭露的材料内。拥有该核种的纯硅阳极，在充电充锂反应过后，整体结构会形成Li4.1Si_Cmcm、Li13Si4_Pbam、Li2Si_C12m1、LiSi_I41AZ其中的一种或多种，并展现极优异的电容量。本揭露能同时提升纯硅阳极实际使用时的电容量、并解决现有的纯硅阳极经反复充放电后体积膨胀而导致电极损坏进而使电池失效的问题。

主权项：1.一种锂电池的纯硅阳极，其包含一锂-硅化合物多晶型，其中该锂-硅化合物多晶型是选自Li4.1Si_Cmcm、Li13Si4_Pbam、Li2Si_C12m1及LiSi_I41AZ有序晶格结构所组成之群组其中一或多者，并至少包含该Li4.1Si_Cmcm，其中：该Li4.1Si_Cmcm有序晶格结构的特征为在使用Cu靶KαX光辐射下，具有X射线粉末衍射包含2θ峰位在15.75±0.1度、20.72±0.1度、24.11±0.1度、26.05±0.1度、27.15±0.1度、39.52±0.1度、41.36±0.1度及43.16±0.1度；该Li13Si4_Pbam有序晶格结构的特征为在使用Cu靶KαX光辐射下，具有X射线粉末衍射包含2θ峰位在12.33±0.1度、20.72±0.1度及22.6±0.1度；该Li2Si_C12m1有序晶格结构的特征为在使用Cu靶KαX光辐射下，具有X射线粉末衍射包含2θ峰位在14.05±0.1度及23.61±0.1度；及该LiSi-_I41AZ有序晶格结构的特征为在使用Cu靶KαX光辐射下，具有X射线粉末衍射包含2θ峰位在18.77±0.1度、19.28±0.1度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陈世伟 用于锂电池纯硅阳极的锂-硅化合物多晶型及其用途

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