申请/专利权人：浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-05-14

公开（公告）号：CN118023516A

主分类号：B22F3/10

分类号：B22F3/10;B22F3/00;B22F3/24;B22F7/08;H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要：本发明公开了一种应用于AMB覆铜衬板烧结方法，在设置有准备室、脱蜡室、脱气室、烧结室、缓冷室一、缓冷室二、快冷室一、快冷室二和结束室的连续烧结炉中进行，具体包括以下步骤：步骤S1、准备；步骤S2、脱蜡；步骤S3、脱气；步骤S4、烧结；步骤S5、一次冷却；步骤S6、二次冷却；步骤S7、三次冷却。本发明提供的一种应用于AMB覆铜衬板烧结方法，采用连续式烧结炉的方式替代传统的单腔室烧结炉进行烧结，在满足性能的前提下，产出率高，能够解决烧结成本高及烧结产能低的缺陷，使功率半导体母板产能大幅提升的同时相应烧结成本大幅降低。

主权项：1.一种应用于AMB覆铜衬板烧结方法，其特征在于：在设置有准备室1、脱蜡室2、脱气室3、烧结室4、缓冷室一5、缓冷室二6、快冷室一7、快冷室二8和结束室9的连续烧结炉中进行，具体包括以下步骤：步骤S1、准备：将摆放好产品的载具输送至准备室1，所述准备室1的温度为常温，真空度为常压，待产品装载完成后抽真空至50～1000pa，然后将产品输送至脱蜡室2；步骤S2、脱蜡：所述产品进入脱蜡室2后，将待烧产品中的树脂经过高温加热分解后脱除，所述脱蜡室2的温度为100～500℃，真空度为50～1000pa；待产品脱脂时间到后抽真空至0.01～10pa，然后将产品输送至脱气室3；步骤S3、脱气：所述产品进入脱气室3后，将产品中产生的微量气体进行脱除，所述脱气室3的温度为500～700℃，真空度为0.01～10pa；待产品脱气时间到后抽真空至0.0008～0.01pa，然后将产品输送至烧结室4；步骤S4、烧结：所述产品进入烧结室4后，将产品进行烧结，所述烧结室4的温度为800～950℃，真空度为0.0008～0.01pa；待产品烧结时间到后，然后将产品依次输送至缓冷室一5和缓冷室二6；步骤S5、一次冷却：所述产品依次进入缓冷室一5和缓冷室二6通过循环水冷进行冷却，所述缓冷室一5和缓冷室二6的温度为室温，真空度为0.0008～0.01pa，待产品冷却时间到后，然后将产品依次输送至快冷室一7和快冷室二8；步骤S6、二次冷却：将快冷室一7和快冷室二8抽真空度至1000pa；快冷室一7在接受缓冷室二6的产品之前需先将真空度抽至与缓冷室相当；然后将所述产品依次送入快冷室一7和快冷室二8并通过惰性循环冷却气体进行冷却，所述快冷室一7和快冷室二8的温度为室温，待产品冷却时间到后，然后将产品输送至结束室9；步骤S7、三次冷却：所述产品进入结束室9后，将产品冷却至室温后将产品出炉；所述结束室9的温度为常温，真空度为常压，结束室9安装有冷却风机15，内部有惰性循环冷却气体。

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权利要求：

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