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申请/专利权人：湖南九山半导体科技有限公司
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118063215A
主分类号：C04B35/56
分类号：C04B35/56;C04B35/622
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明属于碳化物陶瓷制备技术领域，公开了一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法。制备TaC陶瓷先驱体包括以下步骤：S1、将一水合柠檬酸和五氯化钽粉体加入至无水乙醇中，水浴温度为10～20℃，得到第一溶液；S2、将S1得到的所述第一溶液水浴加热至30～50℃，加入去离子水并不断搅拌，保温20～40min，得到第二溶液；S3、向S2得到的所述第二溶液中滴加乙二醇，搅拌均匀后静置20～30min，得到第三溶液；S4、将S3得到的所述第三溶液水浴加热至50～70℃，保温0.5～2h，得到先驱体溶液。本发明制备的先驱体为含碳、钽元素的稳定有机化合物，可长期保存，制备工艺简单、生产成本低，最终获得的TaC陶瓷纯度高。
主权项：1.一种TaC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将一水合柠檬酸和五氯化钽粉体加入至无水乙醇中，水浴温度为10～20℃，得到第一溶液；S2、将S1得到的所述第一溶液水浴加热至30～50℃，加入去离子水并不断搅拌，保温20～40min，得到第二溶液；S3、向S2得到的所述第二溶液中滴加乙二醇，搅拌均匀后静置20～30min，得到第三溶液；S4、将S3得到的所述第三溶液水浴加热至50～70℃，保温0.5～2h，得到先驱体溶液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南九山半导体科技有限公司 一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法
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