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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种Si111衬底MOCVD制备ZrN100单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si111衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si111衬底，去除Si111衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，在Si111上制备氮化锆成核层；在第四预设条件下，向反应腔室中通入载气携带的四甲乙氨基锆源料和氨气源料，在氮化锆成核层上制备氮化锆薄膜；按照预设降温速率使反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。本发明能够通过调控反应室压强、衬底加热温度、源料气体流量等MOCVD工艺参数，在Si111衬底上实现ZrN100单一择优取向、低残余应力、低电阻率且表面平整的高质量氮化锆薄膜制备。
主权项：1.一种Si111衬底MOCVD制备ZrN100单一取向氮化锆薄膜方法，其特征在于，包括：将Si111衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤所述Si111衬底，去除所述Si111衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，向所述反应腔室通入载气携带的四甲乙氨基锆源料，在所述Si111衬底表面预铺金属锆层，在第三预设条件下通入载气携带的氨气源料，将所述金属锆层高温氮化形成氮化锆成核层；在第四预设条件下，向所述反应腔室中通入载气携带的四甲乙氨基锆源料和氨气源料，在所述氮化锆成核层上实现氮化锆薄膜ZrN100单一择优取向高结晶质量制备；关闭四甲乙氨基锆源料和氨气源料及停止对所述Si111衬底加热，向所述反应腔室通入氮气载气和氨气，按照预设降温速率使所述反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 Si（111）衬底MOCVD制备ZrN（100）单一取向氮化锆薄膜方法
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