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申请/专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要：本发明涉及电池片生产领域，具体涉及结合LPCVD与磷扩散为一体的新工艺流程，包括以下步骤：S1、硅片安装至石英舟内，将石英舟放入沉积设备中，升温并第一次抽真空，然后通入氧气，在硅片表面沉积形成二氧化硅层；S2、进行第二次抽真空并通入硅烷，在二氧化硅层上沉积形成非晶硅层；S3、进行第三次抽真空并通入三氯氧磷，在非晶硅层上掺杂形成磷扩散层；S4、进行第四次抽真空并再次通入氧气，在磷扩散层上继续形成磷硅玻璃层，而后进行第五次抽真空并冷却，完成下料即可。本发明在LPCVD通硅烷沉积非晶硅后，直接抽真空进行磷扩散处理，结合了LPCVD与磷扩散两道工序为一体，简化了工艺步骤，节约了生产时间，提高了产能。
主权项：1.结合LPCVD与磷扩散为一体的新工艺流程，其特征在于，包括以下步骤：S1、硅片安装至石英舟内，将石英舟放入沉积设备中，升温并第一次抽真空，然后通入氧气，在硅片表面沉积形成二氧化硅层；S2、进行第二次抽真空并通入硅烷，在二氧化硅层上沉积形成非晶硅层；S3、进行第三次抽真空并通入三氯氧磷，在非晶硅层上掺杂形成磷扩散层；S4、进行第四次抽真空并再次通入氧气，在磷扩散层上继续形成磷硅玻璃层，而后进行第五次抽真空并冷却，完成下料即可。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 滁州捷泰新能源科技有限公司 结合LPCVD与磷扩散为一体的新工艺流程
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