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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种高压BCD工艺中绕圈高阻多晶电阻模型的实现方法，包括如下步骤：步骤S1，对若干不同尺寸的电阻数据分别提取，根据常规电阻模型公式计算得到若干电阻线宽修正；步骤S2，根据得到的若干电阻线宽修正构建电阻线宽修正与不同电阻总长度和最小总长度的电阻的长度的比值的趋势图；步骤S3，根据步骤S2得到的趋势图进行拟合，得到电阻线宽修正对不同电阻总长度和最小总长度的电阻的长度的比值的拟合式；步骤S4，根据步骤S3得到的拟合式，将所述常规电阻模型公式中的线宽修正替换成所述拟合式得到改进的得到改进的绕圈高阻多晶电阻模型。
主权项：1.一种高压BCD工艺中绕圈高阻多晶电阻模型的实现方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，对若干不同尺寸的电阻数据分别提取，根据常规电阻模型公式计算得到若干电阻线宽修正dw，所述常规电阻模型公式： 其中，rsh为方块电阻值，Ltotal为绕组总长度，W为电阻固定宽度，dw为电阻线宽修正，fΔV、ftemp为电压修正与温度修正；步骤S2，根据得到的若干电阻线宽修正dw来构建电阻线宽修正dw与不同电阻总长度Ltotal和最小总长度的电阻的长度Ltotalmin的比值L_ratio的趋势图；步骤S3，根据步骤S2得到的趋势图进行拟合，得到电阻线宽修正dw对不同电阻总长度Ltotal和最小总长度的电阻的长度Ltotalmin的比值L_ratio的拟合式；步骤S4，根据步骤S3得到的拟合式，将所述常规电阻模型公式中的线宽修正dw替换成所述拟合式得到改进的得到改进的绕圈高阻多晶电阻模型。
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