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申请/专利权人：上海帝迪集成电路设计有限公司
申请日：2024-01-30
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118092560A
主分类号：G05F1/56
分类号：G05F1/56
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种双极性晶体管的基极电流消除电路及其消除方法，包含双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2、双极性晶体管Q3、双极性晶体管Q4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R1、电阻R2、运算放大器A和电流源I1。本发明采用动态采样基极电流并进行补偿的方式，即使不同的PVT条件促使基极电流发生变化，补偿的电流也能动态跟随，实现了在PVT下的双极性晶体管的基极电流的完全消除。
主权项：1.一种双极性晶体管的基极电流消除电路，其特征在于：包含双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2、双极性晶体管Q3、双极性晶体管Q4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R1、电阻R2、运算放大器A和电流源I1，电流源I1的一端接地，电流源I1的另一端与双极性晶体管Q1的发射极、双极性晶体管Q2的发射极、双极性晶体管Q3的发射极和双极性晶体管Q4的发射极连接，双极性晶体管Q1的集电极与MOS管M1的源极连接，双极性晶体管Q2的集电极与MOS管M2的源极连接，MOS管M1的漏极和MOS管M2的漏极与负载连接，双极性晶体管Q3的集电极与MOS管M3的源极连接，双极性晶体管Q4的集电极与MOS管M4的源极连接，MOS管M3的漏极与电阻R1的一端和运算放大器A的同向输入端连接，MOS管M4的漏极与电阻R2的一端和运算放大器A的反向输入端连接，电阻R1的另一端、电阻R2的另一端、MOS管M5的漏极、MOS管M6的漏极和MOS管M7的漏极连接电源VDD，运算放大器A的输出端与MOS管M5的栅极、MOS管M6的栅极和MOS管M7的栅极连接，MOS管M5的漏极与双极性晶体管Q4的基极连接，MOS管M6的栅极的漏极与双极性晶体管Q1的基极连接，MOS管M7的栅极的漏极与双极性晶体管Q2的基极和双极性晶体管Q3的基极连接，MOS管M1的栅极、MOS管M2的栅极、MOS管M3的栅极和MOS管M4的栅极连接偏置电压Vb。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海帝迪集成电路设计有限公司 一种双极性晶体管的基极电流消除电路及其消除方法
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