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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2024-01-30
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099255A
主分类号：H01L31/101
分类号：H01L31/101;H01L31/0336;H01L31/18;G06N3/065
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种氧化镓基二端双向紫外光响应人工突触及其制备方法。通过0.5‑1wt％Si掺杂Ga2O3ZnO异质结的构建，制备了对紫外光具有可逆光响应的平面二端型人工突触器件。通过底层ZnO在吸收370nm紫外光后产生的光生电子注入效应，原本只能对255nm紫外光产生正向光响应的Ga2O3器件也能对370nm紫外光产生负向光响应。通过紫外脉冲频率的调节，人工突触器件的电导可以在一定范围内实现非易失性的可逆调控。本发明解决了以往Ga2O3基人工突触必须依赖栅压进行电导调控的问题，简化了器件的电路设计，有望用于复杂的光学认知任务。
主权项：1.一种Ga2O3基二端双向紫外光响应人工突触，其特征在于：所述人工突触包括：衬底；设置在所述衬底上的六方纤锌矿结构ZnO层：设置在所述六方纤锌矿结构ZnO上的Si掺杂β相Ga2O3层；设置在所述Si掺杂β相Ga2O3层上的一对电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种氧化镓基二端双向紫外光响应人工突触及其制备方法
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