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申请/专利权人：合肥仙湖半导体科技有限公司
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136660A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明涉及AlGaNGaN技术领域，解决了传统AlGaNGaNHEMT器件随着2DEG的耗尽，沟道迁移率显著下降，器件饱和电流密度和输出功率密度也显著降低的问题，尤其涉及一种基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaNGaNHEMT，基于AlGaNGaNMISHEMT结构在其沟道层与势垒层之间引入一层超晶格层构成AlGaNGaNSL‑MISHEMT结构，用于通过增加一层二维电子气沟道以提高电流密度。本发明通过在凹槽栅AlGaNGaNMISHEMT下插入GaNAlN超晶格层SL，使器件在维持击穿特性的同时，显著提升沟道电子迁移率，解决电流密度过低的问题，实现增强型器件电流密度的提升。
主权项：1.一种基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaNGaNHEMT，其特征在于，基于AlGaNGaNMISHEMT结构在其沟道层与势垒层之间引入一层超晶格层构成AlGaNGaNSL-MISHEMT结构，用于通过增加一层二维电子气沟道以提高电流密度；所述超晶格层由在沟道层上由上至下依次生长的氮化铝层和氮化镓层组成，以提升AlGaNGaNMISHEMT结构的正向饱和电流密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥仙湖半导体科技有限公司 一种基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT
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