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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-09-08
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159037A
主分类号：H10B80/00
分类号：H10B80/00;H01L27/088
优先权：["20221206 KR 10-2022-0168846"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：公开了一种存储器件，其包括：基础管芯，其包括一对第二管芯和位于所述一对第二管芯之间的第一管芯；以及存储堆叠，其包括在垂直方向上顺序堆叠在基础管芯上的存储管芯。第一管芯电连接到存储堆叠，并且第一管芯包括逻辑晶体管，该逻辑晶体管包括三维结构的沟道。
主权项：1.一种存储器件，包括：基础管芯结构，包括第一管芯和第二管芯；和存储堆叠，包括在垂直方向上顺序堆叠在所述基础管芯结构上的存储管芯，其中，所述第一管芯被配置为电连接到所述存储堆叠，并且其中，所述第一管芯包括逻辑电路的晶体管，并且所述逻辑电路的所述晶体管包括三维结构的沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 存储器件和包括存储器件的存储系统
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